1月30日，西部數(shù)據（Western Digital）宣布已經成功完成了第五代3D NAND技術BiCS5的研發(fā)，繼續(xù)保持業(yè)界先進閃存技術的領先地位。

基于TLC與QLC閃存技術構建的BiCS5技術，在合理優(yōu)化的成本上，提供了出色的容量，性能和可靠性，成為解決聯(lián)網汽車、移動設備及AI相關的數(shù)據增長的理想方案。

西數(shù)目前已經開始初步生產容量為512Gb的BiCS5 TLC產品，且基于該技術的消費類產品目前正在出貨。預計到2020年下半年，將大規(guī)模生產BiCS5。屆時將推出一系列基于TLC、QLC技術的不同容量產品，包括1.33Tb。

據了解，BiCS5是西數(shù)迄今為止密度最高，最先進的3D NAND技術。第二代多層存儲孔技術，改進的制成工藝和其他3D NAND單元增強功能顯著提高了整個芯片上水平的單元陣列密度。

這些“橫向擴展”的進步與112層垂直存儲功能相結合，使BiCS5與西數(shù)的96層BiCS4技術相比，每個芯片的存儲容量提高了40%以上，同時優(yōu)化了成本。新的設計改進還提高了性能，使得BiCS5的I/O性能比BiCS4快了多達50%。

BiCS5技術是與其技術制造伙伴鎧俠（Kioxia，原東芝存儲器）共同研發(fā)，也將會在日本三重縣四日市市和日本巖手縣北上市的合資工廠里生產。

西數(shù)存儲器技術與制造高級副總裁Steve Paak博士提到：“隨著步入下一個十年，新的3D NAND縮放方法對于繼續(xù)滿足不斷增長的數(shù)據量和數(shù)據速率的需求至關重要。”

Steve Paak還表示：“我們成功生產的BiCS5體現(xiàn)了西數(shù)在閃存技術上的持續(xù)領導地位以及對技術路線圖的高效執(zhí)行力。通過利用多層存儲孔技術的最新技術進成果，增加橫向密度并增加存儲層，我們在繼續(xù)提供客戶期望的可靠性和成本的同時，極大地擴展了3D NAND技術的容量和性能。”（編譯：Kevin）

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